| 引脚名称 | 引脚功能 |
| CLE | 命令锁存功能 |
| ALE | 地址锁存功能 |
| /CE | 芯片使能 |
| /RE | 读使能 |
| /WE | 写使能 |
| /WP | 写保护 |
| R/B | 就绪/忙输出信号 |
| Vcc | 电源 |
| Vss | 地 |
| N.C | 不接 |
| IO0~IO7 | 数据传输、命令、地址 |
二、存储组织形式
一个plane就是一个存储矩阵。包括若干个Block
OOB/Spare Area
每个页，相应另一块区域。叫做空暇区域（SpareArea）。在Linux系统中。一般叫做OOB（Out of Band）。
数据在读写的时候相对容易出错，所以为了保证数据的正确性。必需要有相应的检測和纠正机制，此机制叫做ECC/EDC，所以设计了多余的区域，用于存放数据的校验值。
OOB的读写是随着随着页的操作一起完毕的。
OOB的详细用途包含下面几个方面：
► 标记所处的block是否为坏块
► 存储ECC数据
► 存储一些和文件系统相关的数据。如jaffs2就会用到这些空间存储一些特定信息。而yaffs2文件系统。会在oob中存放非常多和自己文件系统相关的信息
一个16G的NAND的存储结构大致例如以下：
一个16G的NANDFlash须要34位地址，而传输地址的IO口是8位的。因此须要5个循环来传输地址信息。
NAND Flash中的坏块
Nand Flash 中。一个块中含有1 个或多个位是坏的，就称为其为坏块Bad Block。坏块的稳定性是无法保证
的。也就是说，不能保证你写入的数据是对的。或者写入对了。读出来也不一定对的。与此相应的正常的块。肯定
是写入读出都是正常的。
坏块有两种：
（1）出厂时就有存在的坏块：
一种是出厂的时候。也就是，你买到的新的，还没用过的Nand Flash，就能够包括了坏块。此类出厂时就有的坏块，被称作factory (masked) bad block 或initial bad/invalid block，在出厂之前，就会做相应的标记， 标为坏块。
（2） 使用过程中产生的坏块：
第二类叫做在使用过程中产生的，因为使用过程时间长了，在擦块除的时候，出错了，说明此块坏了，也
要在程序执行过程中，发现。而且标记成坏块的。详细标记的位置。和上面一样。这类块叫做worn-out bad block。即用坏了的块。
SLC、MLC以及TLC区别
这几种闪存的物理结构是相同的，SLC（single-level-cell）是最简单的一种，加电就是1，断电就是0。
MLC (multi-level-cell）就是每个cell单元中有多个信号，通过控制不同的电压来实现的，常见的是2个电信号的，它的信号组合有11，01，00，10四种，也就是可储存的容量提升了。
TLC（Triple-level-cell）实际上也是MLC中的一种，不过常说的MLC几乎就是特指2个信号位的。TLC每个Cell单元中可荣内的信号更多，有000，001，010，011，111，110，100，101这8种，容量会更大。
提升容量、降低成本是MLC及TLC最大的优点，但是负面影响也很严重。
1.MLC性能下降
MLC需要更精确的电压控制，program过程所需时间更多，因此写入性能也会大幅下降，理论上只有SLC的1/4；读取，特别是随机读取性能也会受影响，因为需要花更多的时间从四种电信号状态中区分所需数据，读取性能只有SLC的1/3。
SLC与MLC性能对比
2.MLC可靠性下降
SLC闪存一次P/E循环只需要击穿一次氧化层，而MLC需要不同的电压多次击穿氧化层，物理损害比SLC要严重得多，MLC的写入次数指数级下降，比如SLC的理论寿命是1万-10万次，而MLC的写入寿命上限就只有1万次，而且随着工艺的进步，这个数值还在下降，25nm MLC普遍只有3000-5000次。
3.MLC需要更高的纠错
由于电压分的更细，MLC在读取数据的过程中需要提高敏感度，不然就容易出现读错数据的可能，也就是说MLC出错的几率增大了，纠错要求也必须随之提高，反应在SSD上就是需要更强的ECC机制。
除了上面提到的几点缺陷之外，MLC的漏电流、电压边界位移（voltage margin shifting）现象也增加了，MLC的功耗和发热也更高，这些都是MLC带来的问题，虽然相比前面几个并不算严重。
说了这么多MLC的“坏话”，其实也没必要，因为SLC的成本和售价不是谁都能接受的，而MLC带来的好处是极具诱惑力的，它带来的问题可以通过技术手段缓解，至少SSD的主流还是MLC，而且针对企业级应用的MLC在可靠性和寿命上一样有保障。而且跟TLC一比较就觉得MLC好了，同样再跟QLC一比较，TLC也不是那么难接受。